产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- HN2A01FE-GR(TE85LF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,6V
- 供应商器件封装 :
- ES6
- 功率 - 最大值 :
- 100mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 150mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 800MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R1JTTD6733D25
RN73R1JTTD6120D25
RN73R1JTTD6490D25
RN73R1JTTD8252D25
RN73R1JTTD6421D25
RN73R1JTTD7063D25
RN73R1JTTD78R7D25
RN73R1JTTD6203D25
RN73R1JTTD9310D25
RN73R1JTTD7772D25
RN73R1JTTD94R2D25
RN73R1JTTD9650D25
RN73R1JTTD8351D25
RN73R1JTTD8872D25
RN73R1JTTD8980D25
RN73R1JTTD8350D25
RN73R1JTTD9882D25
RN73R1JTTD6422D25
RN73R1JTTD64R9D25
RN73R1JTTD7502D25