产品概览

产品型号
HN3C51F-GR(TE85L,F
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
双极晶体管阵列
产品描述
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

文档与媒体

数据列表
HN3C51F-GR(TE85L,F

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
300mV @ 1mA,10mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
200 @ 2mA,6V
供应商器件封装 :
SM6
功率 - 最大值 :
300mW
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SC-74,SOT-457
工作温度 :
150°C(TJ)
晶体管类型 :
2 NPN(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) :
120V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
100mA
电流 - 集电极截止(最大值) :
100nA(ICBO)
频率 - 跃迁 :
100MHz

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