产品概览

产品型号
HBDM60V600W-7
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
双极晶体管阵列
产品描述
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

文档与媒体

数据列表
HBDM60V600W-7

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V
供应商器件封装 :
SOT-363
功率 - 最大值 :
200mW
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN,PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) :
65V,60V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
500mA,600mA
电流 - 集电极截止(最大值) :
100nA
频率 - 跃迁 :
100MHz

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