产品概览
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- 数据列表
- ZXTDE4M832TA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 325mV @ 300mA，3.5A / 260mV @ 200mA，1.5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V
- 供应商器件封装 :
- 8-MLP（3x2）
- 功率 - 最大值 :
- 1W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-VDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80V，70V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3.5A，2.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 25nA
- 频率 - 跃迁 :
- 160MHz，180MHz
