产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMDT5451Q-7
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V / 60 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160V，150V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-8521B26MC-ATLT2G
S-8521B27MC-ATMT2G
S-8521B28MC-ATNT2G
S-8521B29MC-ATOT2G
S-8521B30MC-ATPT2G
S-8521B31MC-ATQT2G
S-8521B32MC-ATRT2G
S-8521B33MC-ATST2G
S-8521B34MC-ATTT2G
S-8521B35MC-ATUT2G
S-8521B36MC-ATVT2G
S-8521B40MC-ATZT2G
S-8521B44MC-AUDT2G
S-8521B50MC-AUJT2G
S-8521C16MC-BTBT2G
S-8521C25MC-BTKT2G
S-8521C27MC-BTMT2G
S-8521C28MC-BTNT2G
S-8521C29MC-BTOT2G
S-8521C30MC-BTPT2G
