产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMDT2907A-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.6V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- -
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-5844A90CE-A4T2U3
S-5844A90DB-A4T2U3
S-5844A95CB-A4T2U3
S-5844A95CC-A4T2U3
S-5844A95CD-A4T2U3
S-5844A95CE-A4T2U3
S-5844A97DB-A4T2U3
S-5844A55CB-A4T2U3
S-5844A65CB-A4T2U3
S-5844A65CC-A4T2U3
S-5844A65DB-A4T2U3
S-5844A75DB-A4T2U3
S-5844A85DB-A4T2U3
S-5844A95DB-A4T2U3
S-5844A70DB-A4T2U3
S-5844A75CB-A4T2U3
S-5844A80CD-A4T2U3
S-5844A85CB-A4T2U3
S-5844A90CB-A4T2U3
S-5841A50D-I6T1U
