产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC847CDW1T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 380mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0805J2000271KQT
0805J2000271KXR
0805J2000271MDR
0805J2000271MDT
0805J2000271MXR
0805J2000272JDR
0805J2000272JDT
0805J2000272JXR
0805J2000272JXT
0805J2000272KDR
0805J2000272KDT
0805J2000272KXR
0805J2000272KXT
0805J2000272MDR
0805J2000272MDT
0805J2000272MXR
0805J2000272MXT
0805J2000273JDR
0805J2000273JDT
0805J2000273JXR
