文档与媒体
- 数据列表
- BCM857DS,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSOP
- 功率 - 最大值 :
- 380mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-74，SOT-457
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）配对
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 175MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0805Q270KFAAI
VJ0805Q270KFAAO
VJ0805Q270KFBAI
VJ0805Q270KFBAO
VJ0805Q270KXAAC
VJ0805Q270KXAAP
VJ0805Q270KXBAC
VJ0805Q270KXBAP
VJ0805Q270KXCAC
VJ0805Q2R2BEAAI
VJ0805Q2R2BEAAO
VJ0805Q2R2BEBAI
VJ0805Q2R2BEBAO
VJ0805Q2R2BFAAI
VJ0805Q2R2BFAAO
VJ0805Q2R2BFBAI
VJ0805Q2R2BFBAO
VJ0805Q2R2BXAAC
VJ0805Q2R2BXAAP
VJ0805Q2R2BXBAC
