文档与媒体
- 数据列表
- BC857BV,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-666
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206J2001P50CFR
1206J2001P50CFT
1206J2001P50CQT
1206J2001P50DAR
1206J2001P50DCR
1206J2001P50DFR
1206J2001P50DFT
1206J2001P50DQT
1206J2001P50HQT
1206J2001P60BQT
1206J2001P60CQT
1206J2001P60DQT
1206J2001P60HQT
1206J2001P70BQT
1206J2001P70CQT
1206J2001P70DQT
1206J2001P70HQT
1206J2001P80BAR
1206J2001P80BCR
1206J2001P80BFR
