产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSD1616A-G-BP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TO-92
- 功率 - 最大值 :
- 750 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 120 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 160MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2ATTD1820D10
RN73H2ATTD1541D10
RN73H2ATTD2003D10
RN73H2ATTD2673D10
RN73H2ATTD2262D10
RN73H2ATTD2343D10
RN73H2ATTD2522D10
RN73H2ATTD2521D10
RN73H2ATTD1890D10
RN73H2ATTD1760D10
RN73H2ATTD1652D10
RN73H2ATTD1451D10
RN73H2ATTD2081D10
RN73H2ATTD1910D10
RN73H2ATTD2431D10
RN73H2ATTD2583D10
RN73H2ATTD1740D10
RN73H2ATTD2102D10
RN73H2ATTD1543D10
RN73H2ATTD1371D10
