产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1815-R-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 150mA,1.5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 500mA,5V
- 供应商器件封装 :
- D-Pak
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 180MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812Y2000682KCR
1812Y2000682KDR
1812Y2000682KDT
1812Y2000682KER
1812Y2000682KFR
1812Y2000682KFT
1812Y2000682KXR
1812Y2000682MDR
1812Y2000682MDT
1812Y2000682MER
1812Y2000682MXR
1812Y2000683JDR
1812Y2000683JDT
1812Y2000683JER
1812Y2000683JXR
1812Y2000683KDR
1812Y2000683KDT
1812Y2000683KER
1812Y2000683KXR
1812Y2000683MDR