产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- S9013-I-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 600mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 190 @ 50mA,1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1210Y823JXBAT31G
GA1210Y823JXCAR31G
GA1210Y823JXCAT31G
GA1210Y823JXJAR31G
GA1210Y823JXJAT31G
GA1210Y823JXXAR31G
GA1210Y823JXXAT31G
GA1210Y823KBAAR31G
GA1210Y823KBAAT31G
GA1210Y823KBBAR31G
GA1210Y823KBBAT31G
GA1210Y823KBCAR31G
GA1210Y823KBCAT31G
GA1210Y823KBJAR31G
GA1210Y823KBJAT31G
GA1210Y823KBXAR31G
GA1210Y823KBXAT31G
GA1210Y823KXAAR31G
GA1210Y823KXAAT31G
GA1210Y823KXBAR31G