产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- S8550-B-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 85 @ 50mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 200nA
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1206H563JBABT31G
GA1206H563JBXBR31G
GA1206H563JBXBT31G
GA1206H563JXABR31G
GA1206H563JXABT31G
GA1206H563JXXBR31G
GA1206H563JXXBT31G
GA1206H563KBABR31G
GA1206H563KBABT31G
GA1206H563KBXBR31G
GA1206H563KBXBT31G
GA1206H563KXABR31G
GA1206H563KXABT31G
GA1206H563KXXBR31G
GA1206H563KXXBT31G
GA1206H563MBABR31G
GA1206H563MBABT31G
GA1206H563MBXBR31G
GA1206H563MBXBT31G
GA1206H563MXABR31G
