产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KTC3199-BL-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 2mA，6V
- 供应商器件封装 :
- TO-92S
- 功率 - 最大值 :
- 400 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 150 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR32BP471BFWRAJ
CDR32BP471BFWRAT
CDR32BP471BFWSAB
CDR32BP471BFWSAJ
CDR32BP471BFWSAR
CDR32BP471BFWSAT
CDR32BP471BFYRAB
CDR32BP471BFYRAC
CDR32BP471BFYRAP
CDR32BP471BFYRAR
CDR32BP471BFYRAT
CDR32BP471BFZRAJ
CDR32BP471BFZSAC
CDR32BP471BJUSAB
CDR32BP471BJUSAJ
CDR32BP471BJUSAR
CDR32BP471BJUSAT
CDR32BP471BJWSAB
CDR32BP471BJWSAJ
CDR32BP471BJWSAR
