产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD667L-C-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206J5000680GQT
1206J5000680JAR
1206J5000680JCR
1206J5000680JDR
1206J5000680JDT
1206J5000680JFR
1206J5000680JFT
1206J5000680JQT
1206J5000680KAR
1206J5000680KCR
1206J5000680KDR
1206J5000680KDT
1206J5000680KFR
1206J5000680KFT
1206J5000680KQT
1206J5000680MDR
1206J5000680MDT
1206J5000681FAR
1206J5000681FCR
1206J5000681FFR
