产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD667-B-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 150mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92MOD
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73P1EWTTP1471F
SG73P1EWTTP1820F
SG73P1EWTTP204G
SG73P1EWTTP31R6F
SG73P1EWTTP5R11F
SG73P1EWTTP9310F
SG73P1EWTTP2R67F
SG73P1EWTTP2103F
SG73P1EWTTP361G
SG73P1EWTTP39R2F
SG73P1EWTTP2R15F
SG73P1EWTTP6193F
SG73P1EWTTP2373F
SG73P1EWTTP3650F
SG73P1EWTTP1802F
SG73P1EWTTP43R2F
SG73P1EWTTP1472F
SG73P1EWTTP3R9G
SG73P1EWTTP66R5F
SG73P1EWTTP270G
