产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB647-B-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1V @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 60 @ 150mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92MOD
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RGC1/10C6982FTP
RGC1/10C1652FTP
RGC1/10C4323FTP
RGC1/10C1801FTP
RGC1/10C6803FTP
RGC1/10C1800FTP
RGC1/10C2742FTP
RGC1/10C6R20FTP
RGC1/10C1624FTP
RGC1/10C6490FTP
RGC1/10C2802FTP
RGC1/10C27R0FTP
RGC1/10C1103FTP
RGC1/10C4223FTP
RGC1/10C2701FTP
RGC1/10C3R90FTP
RGC1/10C6R34FTP
RGC1/10C2550FTP
RGC1/10C1781FTP
RGC1/10C2743FTP