产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2369
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 40 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 15 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 30µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CP00052K000KB143
CP00052K000KE14
CP00052K400JB143
CP00052K400KB14100
CP00052K500JB14
CP00052K500KB14
CP00052K700JB143
CP00052R000JB143
CP00052R000JE143
CP00052R000KB14
CP00052R000KB143
CP00052R000KE14
CP00052R000KE143
CP00052R400KB14
CP00052R400KE14
CP00052R500JB14
CP00052R600KB14
CP00052R700JB143
CP00052R700KB14
CP00052R700KE14
