产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1124S-TD-H
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 700mV @ 100mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 140 @ 100mA,2V
- 供应商器件封装 :
- PCP
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K03B442DRWSV
M55342K03B459ARWS
M55342K03B464ARWS
M55342K03B475ARWS
M55342K03B475BRWS
M55342K03B47B0RWS
M55342K03B47B5RWS
M55342K03B47E5RWSV
M55342K03B499ARWS
M55342K03B499BRWS
M55342K03B49B9RTS
M55342K03B49B9RWS
M55342K03B49D9RWSV
M55342K03B4B02RWS
M55342K03B4B07RWS
M55342K03B4B12RWS
M55342K03B4B17RTS
M55342K03B4B17RWS
M55342K03B4B22RWS
M55342K03B4B27PWS