产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DZT953-13
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 420mV @ 400mA，4A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1A，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223-3
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 5 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 125MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ1812A150KNFAT
VJ1812A150KNFAJ
VJ1812A150KNFAR
VJ1812A150KNHAT
VJ1812A150KNHAJ
VJ1812A150KNHAR
VJ1812A150MNLAT
VJ1812A150MNLAJ
VJ1812A150MNLAR
VJ1812A150MNGAT
VJ1812A150MNGAJ
VJ1812A150MNGAR
VJ1812A150MNRAT
VJ1812A150MNRAJ
VJ1812A150MNRAR
VJ1812A150MNFAT
VJ1812A150MNFAJ
VJ1812A150MNFAR
VJ1812A150MNHAT
VJ1812A150MNHAJ
