产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DZT853-13
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 340mV @ 500mA，5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 2A，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223-3
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 130MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
B43540B9337M002
B43540B9337M60
B43540B9337M62
B43540B9337M67
B43540B9337M7
B43540B9337M80
B43540B9337M82
B43540B9337M87
B43540B9397M000
B43540B9397M2
B43540B9397M60
B43540B9397M62
B43540B9397M67
B43540B9397M7
B43540B9397M80
B43540B9397M82
B43540B9397M87
B43540B9477M000
B43540B9477M002
B43540B9477M60
