产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5401G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92（TO-226）
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
TBJC685K035CBSC0045
TBJD685K035CBSC0024
TBJD156K035CBSC0045
TBJD475K035CBSC0024
TBJD106K035CBSC0H24
TBJE226K035CWSC0H45
CWR26HB106JBFB\TR
CWR29HC107JAHZ\TR
CWR09KK106KCB
CWR09KK475KCC
CWR09KK106KCC
CWR09KH106KCB
CWR19KK685KCFC
CWR09KH106MCC
CWR19KH226KCGC
CWR19KK156KCGB
CWR09KK156KCC
CWR09KK156KCB
CWR19KK226KCGB
CWR09KH475KCB
