产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1864TV2R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- ATV
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 90MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1812A222FBLAT31G
GA1812A222FXAAR31G
GA1812A222FXAAT31G
GA1812A222FXBAR31G
GA1812A222FXBAT31G
GA1812A222FXCAR31G
GA1812A222FXCAT31G
GA1812A222FXEAR31G
GA1812A222FXEAT31G
GA1812A222FXGAR31G
GA1812A222FXGAT31G
GA1812A222FXLAR31G
GA1812A222FXLAT31G
GA1812A222GBAAR31G
GA1812A222GBAAT31G
GA1812A222GBBAR31G
GA1812A222GBBAT31G
GA1812A222GBCAR31G
GA1812A222GBCAT31G
GA1812A222GBEAR31G
