产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MSB709-RT1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 210 @ 2mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SC-59
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
08052A1R6BAT2A
08052A3R3JAT2A
06035A152GAT2A
08052A2R2JAT2A
06033A222FAT2A
1206GA150JAT2A
06031A221G4T2A
1206CA150JAT2A
C0805C220F5GACAUTO
VJ0805A220JLBAJ32
C1210C473J2RAC7800
0805J0250332JCT
1210J0500333JXT
1210J0630333JXT
S203M96Z5UP63L0R
06035A152FAT4A
12061A332GAT4A
RCE5C2J332J2M1H03A
C3216C0G1H822J/1.15
CL21C272JBF1PNE
