文档与媒体
- 数据列表
- 2SB09700SL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 8mA，400mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 500mA，2V
- 供应商器件封装 :
- 迷你型3-G1
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 10 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 130MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RK73G1JRTTD1203C
RK73G1JRTTD5111C
RK73G1JRTTD5361C
RK73G1JRTTD7322C
RK73G1JRTTD6193C
RK73G1JRTTD5490C
RK73G1JRTTD5360C
RK73G1JRTTD9310C
RK73G1JRTTD3011C
RK73G1JRTTD1020C
RK73G1JRTTD1052C
RK73G1JRTTD9762C
RK73G1JRTTD6043C
RK73G1JRTTD3921C
RK73G1JRTTD4752C
RK73G1JRTTD6201C
RK73G1JRTTD7681C
RK73G1JRTTD5101C
RK73G1JRTTD3600C
RK73G1JRTTD2053C
