产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SMBTA64E6327
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.5V @ 100µA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 20000 @ 100mA，5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT23
- 功率 - 最大值 :
- 330 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 125MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
PIC16C662-20E/P
PIC16C662-20E/PQ
PIC16C662-20E/PT
PIC16C662-20I/L
PIC16C662-20I/P
PIC16C662-20I/PQ
PIC16C662-20I/PT
PIC16C662-20/L
PIC16C662-20/P
PIC16C662-20/PQ
PIC16C662-20/PT
PIC16C662T-04E/L
PIC16C662T-04E/PQ
PIC16C662T-04E/PT
PIC16C662T-04I/L
PIC16C662T-04I/PQ
PIC16C662T-04I/PT
PIC16C662T-04/L
PIC16C662T-04/PQ
PIC16C662T-04/PT
