产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5210BU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 700mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100µA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 30MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
EFM32GG12B430F512IL112-A
EFM32GG12B510F1024GL112-A
EFM32GG900F1024G-E-D1I
PIC18LC252-I/SO
ATXMEGA128A1U-CN
R5F562TAADFH#V1
R5F562TAADFH#V3
CY8C3444PVE-118
R5F5651EDDFB#10
R5F565NCDDFB#10
R5F5651CHDFB#10
R5F5631NDDFM#10
PIC18LF4585-I/P
EFM32LG990F256G-F-BGA112
SIM3C146-B-GM
EFM32GG12B810F1024GL112-AR
ATXMEGA192A3U-AN
PIC32MX575F512HT-80I/MR
PIC32MX775F256HT-80I/MR
STM32F413CHU6TR
