产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5539
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 1.5mA， 10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- -
- 供应商器件封装 :
- TO-63
- 功率 - 最大值 :
- 175 W
- 安装类型 :
- 接线柱安装
- 封装/外壳 :
- TO-211MB，TO-63-4，接线柱
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 130 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 20 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E06B15B0RTIM
M55342H06B10A0RTIM
M55342E06B5B11RWIM
M55342E06B8B50RTIM
M55342E06B392ARWIM
M55342E06B107BRWIM
M55342E06B4B02RTIM
M55342E06B221ARWIM
M55342E06B2B00RWIM
M55342E06B5B23RWIM
M55342E06B205BRWIM
M55342E06B5B36RWIM
M55342E06B5E36RWIM
M55342E06B348BRTIM
M55342E06B49B9RTIM
M55342H06B133DRWIM
M55342E06B511ARTIM
M55342E06B6B57RTIM
M55342E06B11B8RTIM
M55342E06B11B5RWIM
