产品概览

产品型号
2N4998
制造商
Microchip Technology
产品类别
单双极晶体管
产品描述
POWER BJT

文档与媒体

数据列表
2N4998

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
850mV @ 200µA, 1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
-
供应商器件封装 :
TO-59
功率 - 最大值 :
35 W
安装类型 :
接线柱安装
封装/外壳 :
TO-210AA,TO-59-4,接线柱
工作温度 :
-65°C ~ 200°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) :
80 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
2 A
电流 - 集电极截止(最大值) :
-
频率 - 跃迁 :
-

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