产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N3960UB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 3mA，30mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 400 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- -
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RCP2512W13R0GS6
RCP2512W13R0JED
RCP2512W13R0JS6
RCP2512W150RGED
RCP2512W150RGS6
RCP2512W150RJED
RCP2512W150RJS6
RCP2512W15R0GED
RCP2512W15R0GS6
RCP2512W15R0JED
RCP2512W15R0JS6
RCP2512W160RGED
RCP2512W160RGS6
RCP2512W160RJED
RCP2512W160RJS6
RCP2512W16R0GED
RCP2512W16R0GS6
RCP2512W16R0JED
RCP2512W16R0JS6
RCP2512W180RGED
