产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JAN2N2605
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 500µA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-46-3
- 功率 - 最大值 :
- 400 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-206AB，TO-46-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 30 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73S1JRTTD1022D
SG73S1JRTTD1023D
SG73S1JRTTD2100D
SG73S1JRTTD1370D
SG73S1JRTTD1871D
SG73S1JRTTD1782D
SG73S1JRTTD1621D
SG73S1JRTTD1962D
SG73S1JRTTD1870D
SG73S1JRTTD3162D
SG73S1JRTTD6800D
SG73S1JRTTD3481D
SG73S1JRTTD7502D
SG73S1JRTTD5232D
SG73S1JRTTD8660D
SG73S1JRTTD8061D
SG73S1JRTTD4640D
SG73S1JRTTD3651D
SG73S1JRTTD1821D
SG73S1JRTTD9093D
