产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1060R-1EX
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 300mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- TO-220-3
- 功率 - 最大值 :
- 1.75 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 30MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5341B-D10731-GM
SI5341B-D10757-GM
SI5341B-D10758-GM
SI5341B-D10761-GM
SI5341B-D10775-GM
SI5341B-D10789-GM
SI5341B-D10793-GM
SI5341B-D10801-GM
SI5341B-D10811-GM
SI5341B-D10816-GM
SI5341B-D10840-GM
SI5341B-D10860-GM
SI5341B-D10864-GM
SI5341B-D11031-GM
SI5341B-D10945-GM
SI5341B-D10918-GM
SI5341B-D11041-GM
SI5341B-D11030-GM
SI5341B-D11051-GM
SI5341B-D10990-GM