产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1184-R-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1V @ 200mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 82 @ 500mA,3V
- 供应商器件封装 :
- D-Pak
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 70MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E06B499ART5
M55342E06B324BRT5
M55342E12B1E50RT5
M55342K03B90E9PT5V
M55342E12B549DPT5
M55342E06B9B09RT5
M55342E12B332DPT5
M55342E12B576DPT5
M55342E06B1B82RT5
M55342E06B17B8RT5
M55342E06B576ART5
M55342E12B12E1PT5
M55342E06B33B0RT5
M55342E12B12E0PT5
D55342E07B470GRT5
M55342E06B24B3RT5
M55342E12B78D7RT5
M55342E12B47E5PT5
M55342E12B12E1RT5
M55342E12B16E9RT5