产品概览

产品型号
ZTX601QSTZ
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
单双极晶体管
产品描述
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

文档与媒体

数据列表
ZTX601QSTZ

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
1.2V @ 10mA,1A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
2000 @ 500mA,10V
供应商器件封装 :
E-Line(TO-92 兼容)
功率 - 最大值 :
1 W
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
E-Line-3,成型引线
工作温度 :
-55°C ~ 200°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN - 达林顿
电压 - 集射极击穿(最大值) :
160 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
1 A
电流 - 集电极截止(最大值) :
10µA
频率 - 跃迁 :
250MHz

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