产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BCP5216H6327XTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 150mA,2V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT223-4-10
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 125MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GRM1885C1H9R2CA01D
GRM1885C1H9R3CA01D
GRM1885C1H9R4CA01D
GRM1885C1H9R5CA01D
GRM1885C1H9R6CA01D
GRM1885C1H9R7CA01D
GRM1885C1H9R8CA01D
GRM1885C1H9R9CA01D
GCM1885C2A5R8CA16J
GCM1885C2A9R4CA16J
GCM1885C2A7R3CA16J
GCM1885C2A4R7DA16J
GCM1885C2A7R5CA16J
GCM1885C2A4R1DA16J
GCJ188R71E822MA01J
GCM1885C2A9R3CA16J
GCM1885C2A7R1CA16J
GCM1885C2A6R2CA16J
GCM1885C2A8R5CA16J
GCJ188R71E332MA01J