产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1766T100Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ERC55988K00BEEB500
ERC55845K00BEEB500
ERC55673K00BEEB500
ERC55665K00BEEB500
RNC50H5621DSRE831
RNC50H1242DSRE731
ERC55909K00BEEB500
ERC55931K00BEEB500
ERC55383K00BEEB500
ERC55530K00BEEB500
RNC55H4911BSBSL
RNR55K1130FSRSL65
RNR55K1052FSRSL65
RNR55K7500FSRSL65
RNR55K3481FSRSL65
RNR55K2152FSRSL65
RNR55K95R3FSRSL65
RNR55K3831FSRSL65
RNR55K1432FSBSL65
RNR55K84R5FSRSL65
