产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1188-R-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 82 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R1JTTD1401F10
RN73R1JTTD2341F10
RN73R1JTTD2462F10
RN73R1JTTD5830F10
RN73R1JTTD3300F10
RN73R1JTTD1521F10
RN73R1JTTD4422F10
RN73R1JTTD2612F10
RN73R1JTTD5422F10
RN73R1JTTD5232F10
RN73R1JTTD1402F10
RN73R1JTTD3121F10
RN73R1JTTD2772F10
RN73R1JTTD2712F10
RN73R1JTTD47R5F10
RN73R1JTTD3601F10
RN73R1JTTD2871F10
RN73R1JTTD2260F10
RN73R1JTTD5761F10
RN73R1JTTD1330F10
