文档与媒体
- 数据列表
- BCP55-16-QF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 650 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 180MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C330C123J1G5TA
1808JA250560GGTS2X
1210Y1K00122JET
1210Y1K00152JET
1210Y6300122JET
1210Y6300152JET
VJ1206V823MXAPW1BC
1808YA250152MSTSYS
CC1812KKX7RYBB124
VJ0402A8R2CNAAJ
CGA6P2X7R1H105M160AA
CK45-R3DD152K-NRA
CL32F106ZAHNNNE
CAS17C150MAGFC
1812B274J101CT
1812B274J500CT
1812N101F302CT
1812B394J101CT
1812B394J500CT
1808JA250102JSTSYS
