文档与媒体
- 数据列表
- PBSS5350T-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 390mV @ 300mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 1.2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
DS1100U-20+T
LTC6994IS6-2#TRM
LTC6994HS6-2#TRM
LTC6994MPS6-1#TRM
LTC6994IS6-2#TR
LTC6994MPS6-2#TRM
PI6CDBL401BZHIEX
PI6C557-05LEX
SI52112-A1-GM2R
SI53102-A2-GMR
SI52142-A01AGMR
9DBL411BGLFT
SI53154-A01AGMR
9DB803DGLFT
SI52112-B5-GM2R
9ZXL0831AKLFT
9DB106BGILFT
SI52144-A01AGMR
SI53152-A01AGM
9ZXL1231AKLFT
