产品概览

产品型号
DXTN58100CFDB-7-50
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
单双极晶体管
产品描述
SS Low Sat Transistor U-DFN2020-

文档与媒体

数据列表
DXTN58100CFDB-7-50

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
260mV @ 400mA,4A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
180 @ 500mA,2V
供应商器件封装 :
U-DFN2020-3(B 类)
功率 - 最大值 :
690 mW
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
3-UDFN 裸露焊盘
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) :
100 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
4 A
电流 - 集电极截止(最大值) :
100nA
频率 - 跃迁 :
150MHz

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