文档与媒体
- 数据列表
- PBSS4350T-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 370mV @ 300mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 1A，2V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 1.2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216P-5762-D-T5
RG3216P-5902-D-T5
RG3216P-6042-D-T5
RG3216P-6192-D-T5
RG3216P-6342-D-T5
RG3216P-6492-D-T5
RG3216P-6652-D-T5
RG3216P-6812-D-T5
RG3216P-6982-D-T5
RG3216P-7152-D-T5
RG3216P-7322-D-T5
RG3216P-7682-D-T5
RG3216P-7872-D-T5
RG3216P-8062-D-T5
RG3216P-8252-D-T5
RG3216P-8452-D-T5
RG3216P-8662-D-T5
RG3216P-8872-D-T5
RG3216P-9092-D-T5
RG3216P-9312-D-T5
