产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT1015-H-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 70 @ 2mA，6V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 125°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 150 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
06035A110GAT2A
06035A130GAT2A
06035A200GAT2A
06035A220DAT2A
06035A240GAT2A
06035A750GAT2A
0603YA101GAT2A
0603YA220GAT2A
08052A1R4CAT2A
08052A2R4CAT2A
08052A2R7CAT2A
08052A7R5CAT2A
08052A7R5JAT2A
12101C123KAT2A
12101C563KAT4A
12101C683KAT4A
D183Z39Y5VH63J5R
D183Z39Y5VH63L2R
D183Z39Y5VH6TJ5R
D183Z39Y5VH6TL2R
