产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1316TL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1.5V @ 1mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 1000 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- CPT3
- 功率 - 最大值 :
- 10 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H12B75A0RT3
M55342H12B10E0RT3
D55342H07B64D9RT3
D55342H07B40B7RT3
M55342H12B113BRT3
D55342H07B68D1RT3
D55342H07B10B0RT3
D55342H07B61B9RT3
D55342H07B11B8RT3
M55342H06B16A0RT3
M55342H12B200ERT3
D55342H07B221DRT3
D55342H07B10E7RT3
D55342H07B221ERT3
M55342H12B12B3RT3
M55342H06B2B43RT3
M55342H12B39D2RT3
M55342H12B330DRT3
M55342H12B1E00RT3
M55342H12B4E75RT3