产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NJD35N04T4G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.5V @ 20mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 2000 @ 2A，2V
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 功率 - 最大值 :
- 45 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 350 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 4 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50µA
- 频率 - 跃迁 :
- 90MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5342D-D06587-GMR
SI5342D-D06628-GMR
SI5342D-D06656-GMR
SI5342D-D06708-GMR
SI5342D-D06766-GMR
SI5342D-D06769-GMR
SI5342D-D06821-GMR
SI5342D-D06864-GMR
SI5342D-D06988-GMR
SI5342D-D06989-GMR
SI5342D-D07005-GMR
SI5342D-D07038-GMR
SI5342D-D07045-GMR
SI5342D-D07046-GMR
SI5342D-D07047-GMR
SI5342D-D07053-GMR
SI5342D-D07057-GMR
SI5342D-D07058-GMR
SI5342D-D07126-GMR
SI5342D-D07200-GMR
