产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MJD31C1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.2V @ 375mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 10 @ 3A，4V
- 供应商器件封装 :
- I-PAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.56 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50µA
- 频率 - 跃迁 :
- 3MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012V-6650-D-T5
RG2012V-6810-D-T5
RG2012V-6980-D-T5
RG2012V-7150-D-T5
RG2012V-7320-D-T5
RG2012V-7680-D-T5
RG2012V-7870-D-T5
RG2012V-8060-D-T5
RG2012V-8250-D-T5
RG2012V-8450-D-T5
RG2012V-8660-D-T5
RG2012V-8870-D-T5
RG2012V-9090-D-T5
RG2012V-9310-D-T5
RG2012V-9530-D-T5
RG2012V-9760-D-T5
RG2012V-1021-D-T5
RG2012V-1051-D-T5
RG2012V-1071-D-T5
RG2012V-1131-D-T5
