文档与媒体
- 数据列表
- BCP56-10TF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 63 @ 150mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 1.8 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216V-5361-P-T1
RG3216V-5491-P-T1
RG3216V-5621-P-T1
RG3216V-5761-P-T1
RG3216V-5901-P-T1
RG3216V-6041-P-T1
RG3216V-6191-P-T1
RG3216V-6341-P-T1
RG3216V-6491-P-T1
RG3216V-6651-P-T1
RG3216V-6811-P-T1
RG3216V-6981-P-T1
RG3216V-7151-P-T1
RG3216V-7321-P-T1
RG3216V-7681-P-T1
RG3216V-7871-P-T1
RG3216V-8061-P-T1
RG3216V-8251-P-T1
RG3216V-8451-P-T1
RG3216V-8661-P-T1
