产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA2119KT146
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 10mA，200mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 270 @ 10mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 260MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G1JRTTD8061B
RS73G1JRTTD3320C
RS73G1JRTTD1910B
RS73G1JRTTD1073B
RS73F1JRTTD10R7B
RS73G1JRTTD26R7B
RS73F1JRTTD78R7B
RS73F1JRTTD5901B
RS73F1JRTTD2003B
RS73F1JRTTD7873B
RS73F1JRTTD1103B
RS73G1JRTTD2612C
RS73F1JRTTD7323B
RS73F1JRTTD2612C
RS73G1JRTTD1542B
RS73G1JRTTD14R7B
RS73G1JRTTD9763B
RS73G1JRTTD4302B
RS73F1JRTTD5763C
RS73F1JRTTD4303B
