产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1048-7-TB-E
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 80mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 50mA,2V
- 供应商器件封装 :
- 3-CP
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 125°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 15 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 700 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
12101J3R0ABTTR
12101J1R0ABTTR
12101J2R2QBTTR
MPC8050-206
MPC8020-206
MPC8020-206/TR
MPC8100-206/TR
MPC8050-206/TR
HTC0603-1E-R10-T35-L5
HTC0603-1E-R15-T35-L5
HTC0603-1E-R20-T35-L5
HTC0603-1E-R25-T35-L5
HTC0603-1E-R30-T35-L5
HTC0603-1E-R35-T35-L5
HTC0603-1E-R40-T35-L5
HTC0603-1E-R45-T35-L5
HTC0603-1E-R50-T35-L5
HTC0603-1E-R60-T35-L5
HTC0603-1E-R70-T35-L5
HTC0603-1E-R80-J-L5