文档与媒体
- 数据列表
- BC856BQBZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1110D-3
- 功率 - 最大值 :
- 340 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812JA250101GKTUYX
1825J0100472KCT
1825J0160472KCT
1825J0250472KCT
1825J0500472KCT
1825J0630472KCT
1825J1000472KCT
1825J1K00472KCT
1825J2000472KCT
1825J2500472KCT
1825J5000472KCT
1825J6300472KCT
2220J1K20473KXT
2220J1K50473KXT
CAS17C391MAGGC
CAS26C680MAGFC
1825J0160394KXT
1825J0250394KXT
1825J0500394KXT
1825J0630394KXT
