产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT3906T-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-523
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-523
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
8N3DV85EC-0079CDI
8N3DV85EC-0079CDI8
8N3DV85EC-0080CDI
8N3DV85EC-0080CDI8
8N3DV85EC-0081CDI
8N3DV85EC-0081CDI8
8N3DV85EC-0082CDI
8N3DV85EC-0082CDI8
8N3DV85EC-0083CDI
8N3DV85EC-0083CDI8
8N3DV85EC-0084CDI
8N3DV85EC-0084CDI8
8N3DV85EC-0085CDI
8N3DV85EC-0085CDI8
8N3DV85EC-0086CDI
8N3DV85EC-0086CDI8
8N3DV85EC-0087CDI
8N3DV85EC-0087CDI8
8N3DV85EC-0088CDI
8N3DV85EC-0088CDI8
